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FQT4N25TF中文资料

FQT4N25TF图片

FQT4N25TF外观图

  • 大小:799KB
  • 厂家:
  • 描述:MOSFET N-CH 250V 0.83A SOT-223
  • 产品培训模块:High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装:4,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:QFET™
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):250V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:830mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:1.75 欧姆 @ 415mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:5.6nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:200pF @ 25V
  • 功率 - 最大:2.5W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装:SOT-223-4
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:FQT4N25TF-NDFQT4N25TFTR

FQT4N25TF供应商

更新时间:2023-01-09 23:31:47
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